IRFS3107PBF和STB160N75F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3107PBF STB160N75F3 IRFS3107TRRPBF

描述 N沟道 75V 195AN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-263-3 -

漏源极电阻 2.5 mΩ - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 370 W 330 W -

产品系列 IRFS3107 - -

阈值电压 2.35 V - -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -

连续漏极电流(Ids) 230 A 60.0 A -

输入电容(Ciss) 9370pF @50V(Vds) 6750pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 370 W 330 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 370000 mW 330W (Tc) -

上升时间 - 65 ns -

下降时间 - 15 ns -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 -

长度 - 10.75 mm -

宽度 - 10.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

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