对比图
型号 IRFS3107PBF STB160N75F3 IRFS3107TRRPBF
描述 N沟道 75V 195AN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-263-3 -
漏源极电阻 2.5 mΩ - -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 370 W 330 W -
产品系列 IRFS3107 - -
阈值电压 2.35 V - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V -
连续漏极电流(Ids) 230 A 60.0 A -
输入电容(Ciss) 9370pF @50V(Vds) 6750pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 370 W 330 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 370000 mW 330W (Tc) -
上升时间 - 65 ns -
下降时间 - 15 ns -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 -
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 10.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -