SIB411DK-T1-GE3和SIB441EDK-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SIB411DK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 SIB455EDK-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6LPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 12V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-75, 6 PINMOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Intertechnology Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - -

封装 SC-75-6L - SC-75-6L

极性 P-Channel - -

耗散功率 2.4W (Ta), 13W (Tc) - 13 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 12 V

连续漏极电流(Ids) -9.00 A - -

输入电容(Ciss) 470pF @10V(Vds) - -

耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc) - 2.4W (Ta), 13W (Tc)

下降时间 - - 3.2 µs

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SC-75-6L - SC-75-6L

长度 - - 1.6 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 0.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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