70V3579S4BFG和IDT70V3579S5DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3579S4BFG IDT70V3579S5DRI 70V3579S5BCGI

描述 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM高速3.3V 32K ×36同步流水式双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 208 - 256

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

安装方式 Surface Mount - -

存取时间 4 ns - 5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

长度 15 mm - 17 mm

宽度 15 mm - 17 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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