FQD2N60TF和FQD2N60TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD2N60TF FQD2N60TM

描述 N沟道 600V 2ATrans MOSFET N-CH 600V 2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V 600 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

漏源极电阻 4.70 Ω 4.70 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

输入电容 350 pF 350 pF

栅电荷 11.0 nC 11.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台