BD910和THM94000S-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD910 THM94000S-10 KMM594000-10

描述 4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIP-304,194,304 WORDS x 9Bit DYNAMIC RAM MODULE4M x 9 CMOS DRAM Memory Module

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Toshiba (东芝) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

封装 SIMM SIMM SIMM

封装 SIMM SIMM SIMM

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台