IRF530FI和IRFS530

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530FI IRFS530 BUK443-100B

描述 N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR9.7A, 100V, 0.16Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 9.7A, 100V, 0.16Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 9...TRANSISTOR 8 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Samsung (三星) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SFM SFM -

封装 SFM SFM -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司