BZB984-C3V6和BZB984-C3V6,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZB984-C3V6 BZB984-C3V6,115 PUMD16,115

描述 NXP  BZB984-C3V6  二极管阵列 齐纳, 3.6 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663NXP  BZB984-C3V6,115  二极管阵列 齐纳, 3.6 V, 双共阳极, 425 mW, 150 °C, SOT-663NXP  PUMD16,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 6

封装 SOT-663 SOT-663 SOT-323-6

耗散功率 425 mW 425 mW 200 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 3.6 V 3.6 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 425 mW 425 mW 300 mW

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 265 mW 300 mW

针脚数 - - 6

极性 - - NPN, PNP

击穿电压(集电极-发射极) - - 50 V

集电极最大允许电流 - - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 5V

直流电流增益(hFE) - - 80

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - 1 mm

封装 SOT-663 SOT-663 SOT-323-6

温度系数 -1.9 mV/℃ -1.9 mV/K -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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