BCW68F和BCW68G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW68F BCW68G

描述 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistorsBCW68G PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 100MHz 160~400 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 12G 通用放大器

数据手册 --

制造商 Diotec Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOT-23

额定功率 - 0.35 W

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

集电极最大允许电流 - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V

封装 - SOT-23

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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