对比图
型号 AUIRFR4105Z IRFR4105Z IRFR4105ZTRPBF
描述 INFINEON AUIRFR4105Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 55V 30AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 30.0 A -
漏源极电阻 0.019 Ω 19.0 mΩ 24.5 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 48 W 48W (Tc) 48 W
产品系列 - IRFR4105Z -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0V (min) -
连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A 30A
上升时间 40 ns 40.0 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc)
额定功率 48 W - 48 W
针脚数 3 - 3
阈值电压 2 V - 4 V
下降时间 24 ns - 24 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
输入电容 - - 740 pF
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -