对比图
型号 BUZ215 IRF830PBF BUZ41A
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)VISHAY SILICONIX IRF830PBF 场效应管, MOSFET, N沟道4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-220-3 SFM
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 1.5 Ω -
耗散功率 - 74 W -
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
上升时间 - 16 ns -
输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) -
下降时间 - 16 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) - 74W (Tc) -
封装 - TO-220-3 SFM
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -