SI8752AB-IS和SI8752AB-ISR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8752AB-IS SI8752AB-ISR SI8752AB-AS

描述 Si875x 隔离 FET 驱动器,Silicon LabsSi875x 将坚固的 CMOS 隔离技术和 MOSFET 驱动器相结合,可建立完整的隔离开关。 Si8751 上的输入侧电压很灵活,范围从 2.25 V 至 5.5 V。Si8751 数字 CMOS 引脚控制输入 Si8752 二极管仿真输入 10 V 输出,具有 1 mA 输入电流 内部生成次级侧电源 Miller 夹帽支持,可减少电感振动 输出支持驱动直流或交流负载配置 固态继电器 (SSR) 或机电继电器更换 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Silicon LaboratoriesSILICON LABS  SI8752AB-ISR  ISOLATED FET DRIVER WITH DIODE EMULATION 新SILICON LABS  SI8752AB-AS  AUTOMOTIVE PROCESSING AND TEMPERATURE 新

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出接口数 1 - -

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

正向电压 2.7 V - -

耗散功率 1000 mW 1000 mW 1000 mW

上升时间 260 µs - -

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms 2500 Vrms

正向电流 30 mA - -

下降时间 35 µs - -

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.25 V 2.25 V 2.25 V

触点数 - 16 -

额定电流(Max) - 4.9A/触头 -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.55 mm - 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 125℃

外壳颜色 - Black -

触点材质 - Phosphor Bronze -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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