IMH9A和IMH9AT110

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMH9A IMH9AT110

描述 通用(双数字晶体管) General purpose (dual digital transistors)IMH9AT110 系列 NPN 100 mA 50 V 表面贴装 复合 数字晶体管 - SOT-457

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-457 SC-74-6

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 70.0 mA

额定功率 - 0.3 W

极性 NPN+NPN NPN

耗散功率 - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 68 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

增益带宽 - 250 MHz

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-457 SC-74-6

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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