对比图
型号 BCR116W MUN5233T1
描述 NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - SC-70-3
额定电压(DC) - 50.0 V
额定电流 - 100 mA
极性 - NPN
耗散功率 - 202 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 80
最大电流放大倍数(hFE) - 80
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 310 mW
额定功率 - -
长度 - 2.1 mm
宽度 - 1.24 mm
高度 - 0.85 mm
封装 - SC-70-3
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - EAR99