BSH201和BSH201,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH201 BSH201,215 934054717215

描述 BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压 快速开关NXP  BSH201,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 VTRANSISTOR 340 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 P-CH P-Channel -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.3A -300 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 2.1 Ω -

耗散功率 - 417 mW -

上升时间 - 4.5 ns -

输入电容(Ciss) - 70pF @48V(Vds) -

额定功率(Max) - 417 mW -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 417mW (Ta) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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