对比图
型号 BSH201 BSH201,215 934054717215
描述 BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压 快速开关NXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 VTRANSISTOR 340 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
极性 P-CH P-Channel -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 0.3A -300 mA -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 2.1 Ω -
耗散功率 - 417 mW -
上升时间 - 4.5 ns -
输入电容(Ciss) - 70pF @48V(Vds) -
额定功率(Max) - 417 mW -
下降时间 - 20 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 417mW (Ta) -
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
长度 - 3 mm -
宽度 - 1.4 mm -
高度 - 1 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -