BC858CW和BC858CW-7-F

对比图

型号 BC858CW BC858CW-7-F BC858CLEADFREE

描述 PNP硅晶体管自动对焦（ AF对于输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 发射极饱和电压） PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLARSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323-3-1 SOT-323-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323-3-1 SOT-323-3 -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

频率 - 200 MHz -

极性 - PNP -

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -