对比图
型号 AUIRF1010EZS AUIRF1010EZSTRR IRF1010EZSPBF
描述 D2PAK N-CH 60V 84AD2PAK N-CH 60V 84AINFINEON IRF1010EZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.0068 Ω 8.5 mΩ 0.0085 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 140 W 140 W 140 W
阈值电压 2 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 84A 84A 84A
输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) - 2810pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)
额定功率 140 W 140 W -
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 - 60 V -
上升时间 90 ns 90 ns -
下降时间 54 ns 54 ns -
长度 10 mm 10 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.25 mm 9.65 mm
高度 4.4 mm 4.4 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17