BZX85C18和BZX85C18-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C18 BZX85C18-TAP BZX85C18_T50R

描述 ON Semiconductor BZX85C18 单路 齐纳二极管, 18V 5% 1 W, 2引脚 DO-41封装1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDIODE ZENER 18V 1W DO41

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-41 DO-41 DO-204AL

容差 ±6 % ±5 % ±6 %

额定功率 - 1.3 W -

击穿电压 - 18.0 V -

耗散功率 1.3 W 1.3 W -

测试电流 15 mA 15 mA -

稳压值 18 V 18 V 18 V

额定功率(Max) 1 W 1.3 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 1 W 1.3 W -

正向电压 1.2V @200mA - 1.2V @200mA

工作温度(Min) -65 ℃ - -

长度 5.2 mm 4.1 mm -

封装 DO-41 DO-41 DO-204AL

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bag Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台