BSS82C和PMBT2907A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS82C PMBT2907A,215 BSR16

描述 PNP硅开关晶体管 PNP Silicon Switching TransistorsPMBT2907A,215 编带Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) Yageo (国巨)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

频率 - 200 MHz -

额定功率 - 0.25 W -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 250 mW -

输入电容 - 30 pF -

上升时间 - 30 ns -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

下降时间 - 65 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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