3501M和M29F002BT90P1T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 3501M M29F002BT90P1T SST27SF020-90-3C-PHE

描述 EEPROM, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-322兆位256Kb的X8 ,引导块单电源闪存 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash MemoryNOR Flash Parallel 5V 2M-bit 256K x 8 90ns 32Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Intel (英特尔) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 - - RoHS Compliant

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