FQT4N20和IRFL210

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQT4N20 IRFL210 IRFM220B

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 0.85A - 1.13A

耗散功率 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 140pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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