对比图
型号 LM358AM/NOPB LM358M LM358AD
描述 TEXAS INSTRUMENTS LM358AM/NOPB 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS LM358M 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚LM158，LM258，LM358，低功率双路运算放大器，具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下，输入共模电压范围包含接地，且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益：100 dB 宽带宽（单位增益）：1.1 MHz ### 运算放大器，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 32.0V (max)
输出电流 40mA @15V 40mA @15V 60 mA
供电电流 1 mA 1 mA 700 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
耗散功率 0.53 W 0.53 W 500 mW
共模抑制比 65 dB 65 dB 70 dB
带宽 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz
转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 600 mV/μs
增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.1 MHz
输入补偿电压 2 mV 2 mV 3 mV
输入偏置电流 45 nA 45 nA 20 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
耗散功率(Max) 530 mW 530 mW 500 mW
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 70 dB
电源电压 3V ~ 32V - 3V ~ 30V
输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -
增益带宽 1 MHz 1 MHz -
电源电压(Max) - 32V ~ 36V -
工作电压 3V ~ 32V - -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.45 mm 1.5 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Each Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -