对比图
型号 JANTX2N2907A JANTXV2N2907A 2N2907A
描述 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 0.5W(1/2W) 3Pin TO-18 Box抗辐射 RADIATION HARDENED
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-18 TO-18-3 TO-18-3
耗散功率 0.5 W 0.5 W 500 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V - -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - -
额定功率(Max) 500 mW - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
频率 - 200 MHz -
极性 - PNP -
封装 TO-18 TO-18-3 TO-18-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Box Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
军工级 - Yes -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99