对比图
型号 RFD3055SM SUD30N03-30 FQD13N06TM
描述 12A ， 60V ， 0.150 Ohm的N通道功率MOSFET 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin(2+Tab) DPAK Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin(2+Tab) DPAKQFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 150 mΩ 30.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 53 W 50.0 W 2.5 W
漏源击穿电压 60.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A -30.0 A to 30.0 A 10.0 A
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 12.0 A - 10.0 A
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
上升时间 21 ns - 25 ns
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) - 310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 10 ns - 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 53W (Tc) - 2.5W (Ta), 28W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.1 mm
高度 2.39 mm 2.38 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC -
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99