对比图
型号 IRF1010NSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF IRF1010NSPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 180 W 80 W 3.8 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.011 Ω 0.011 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 80 W 180 W
阈值电压 4 V 3 V 2V ~ 4V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 85A 51A 85A
上升时间 76 ns 160 ns 76 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 3210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 80 W 180 W
下降时间 48 ns 42 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 80W (Tc) 180W (Tc)
输入电容 3210 pF - -
反向恢复时间 69 ns - -
正向电压(Max) 1.3 V - -
工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 11.3 mm 11.3 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free