对比图
型号 IRFIZ24 IRFIZ24NPBF IRFIZ24N
描述 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-220FP N-CH 55V 14A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 13.0 A
漏源极电阻 - 0.07 Ω 70.0 mΩ (max)
极性 - N-Channel N-CH
产品系列 - - IRFIZ24N
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0V (min)
连续漏极电流(Ids) - 14A 14.0 A
上升时间 - 34 ns 34.0 ns
输入电容(Ciss) - 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 29 W 29 W
额定功率 - 26 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
耗散功率 - 29 W -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 370 pF -
下降时间 - 27 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 29W (Tc) -
封装 - TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.8 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -