1N5543B-1TR和JAN1N5543B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5543B-1TR JAN1N5543B-1 JANTX1N5543B

描述 DO-35 25V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 25V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 25 V 25 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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