PHP225和PHP225,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP225 PHP225,118

描述 Dual P-channel enhancement mode MOS transistorSO P-CH 30V 2.3A

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SOIC-8

极性 - P-CH

耗散功率 - 2 W

漏源极电压(Vds) - 30 V

连续漏极电流(Ids) - 2.3A

输入电容(Ciss) - 250pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

封装 - SOIC-8

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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