对比图
型号 RDX060N60FU6 TK6A60D(STA4,Q,M)
描述 MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FMTO-220SIS N-CH 600V 6A
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
极性 - N-CH
耗散功率 40W (Tc) 40W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 6A
上升时间 - 20 ns
输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
下降时间 - 12 ns
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc)
阈值电压 4 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free