IXFV110N10PS和IXTQ110N10P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV110N10PS IXTQ110N10P IXFV110N10P

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDN沟道 100V 110ATrans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 PLUS-220SMD TO-3-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

耗散功率 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

连续漏极电流(Ids) 110 A 110A -

额定功率(Max) - 480 W -

封装 PLUS-220SMD TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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