PIC12F683T-E/MF和PIC12F683T-I/MD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F683T-E/MF PIC12F683T-I/MD PIC12F683T-E/SN

描述 8引脚基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 8-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology8引脚基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 8-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology8引脚基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 8-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

频率 - 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - - 8

时钟频率 20.0 MHz 20.0MHz (max) 20.0MHz (max)

RAM大小 128 x 8 128 B 128 B

位数 - 8 8

耗散功率 - - 800 mW

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC12 - PIC12

模数转换数(ADC) - 1 1

输入/输出数 - - 6 Input

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

电源电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

长度 - 4 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 0.88 mm 1.25 mm

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.a.2 3A991.a.2

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