IXTH160N10T和IXTQ160N10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH160N10T IXTQ160N10T IXTA160N10T7

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-3P N-CH 100V 160AMOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-7

引脚数 3 - -

极性 - N-CH -

耗散功率 430 W 430W (Tc) 430 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 160A -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 7 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

上升时间 61 ns - 61 ns

下降时间 42 ns - 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

额定功率(Max) 430 W - -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-7

长度 - - 10.2 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 4.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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