对比图
型号 BSO083N03MSG SI4410DYTRPBF SI9945BDY-T1-GE3
描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFETINFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VMOSFET; Dual N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 46mohm; Id 5.3; SO-8; Pd 3.1W
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 - 0.01 Ω 0.072 Ω
耗散功率 - 2.5 W 3.1 W
输入电容 - 1585 pF 665pF @15V
漏源极电压(Vds) - 30 V 60 V
输入电容(Ciss) - 1585pF @15V(Vds) 665pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 3.1 W
下降时间 - 44 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 1 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
上升时间 - 7.7 ns -
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) -
长度 - 4.9 mm 5 mm
封装 - SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 3.9 mm -
高度 - 1.75 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -