对比图
型号 AUIRL3705ZSTRL IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSPBF
描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 130W (Tc) 130 W 130 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 86A 86A 75.0 A
上升时间 240 ns 240 ns 240 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
下降时间 83 ns 83 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 86.0 A
漏源极电阻 - 8 mΩ 12 mΩ
产品系列 - - IRL3705ZS
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 2880 pF 2880pF @25V
漏源击穿电压 - 55 V 55 V
额定功率(Max) - 130 W 130 W
额定功率 - 130 W -
针脚数 - 3 -
长度 10 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 11.3 mm -
高度 4.4 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17