CY62256LL-55ZXI和M5M5256DVP-55LL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62256LL-55ZXI M5M5256DVP-55LL CY62256LL-55ZXE

描述 256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAM262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP-28 TSOP TSOP

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 5 V 5 V

工作电压 - 5 V -

存取时间 55.0 ns 55 ns -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

时钟频率 55.0 GHz - -

内存容量 256000 B - -

封装 TSOP-28 TSOP TSOP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -

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