IRG4IBC30UD和IRG4IBC30UDPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4IBC30UD IRG4IBC30UDPBF IBC

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220 Full-PakINFINEON  IRG4IBC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 17 A, 1.95 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC, FULL PACK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 45 W 45 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 45 W -

输入电容 - 1100 pF -

上升时间 - 21 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

热阻 - 65 ℃/W -

反向恢复时间 42 ns 42 ns -

额定功率(Max) 45 W 45 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 45000 mW -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.02 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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