对比图
型号 FDMS8460 IRFH5004TRPBF IRLH5034TR2PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8460 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON IRFH5004TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 40V, 3.6WINFINEON IRLH5034TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56-8 VQFN-8 PowerVDFN-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.002 Ω 2.6 mΩ 0.002 Ω
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 104 W 3.6 W 3.6 W
阈值电压 1.9 V 4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 25A 28A 29A
上升时间 9 ns 39 ns 54 ns
输入电容(Ciss) 7205pF @20V(Vds) 4490pF @20V(Vds) 4730pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - -
下降时间 7 ns 16 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
额定功率 - 3.6 W -
输入电容 - 4490 pF -
长度 5 mm 6 mm 6 mm
宽度 6 mm - 5 mm
高度 1.05 mm - 0.83 mm
封装 Power-56-8 VQFN-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17