对比图
型号 IXTA08N100P IXTY08N100P
描述 D2PAK N-CH 1000V 0.8ADPAK N-CH 1000V 0.8A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 42W (Tc) 42 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 0.8A 0.8A
上升时间 37 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 240pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)
下降时间 34 ns 34 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc)
额定功率(Max) - 42 W
封装 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free