FDT434P和FDT434P_NL的区别_FDT434P代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDT434P FDT434P_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT434P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mVP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 SOT-223

额定电压(DC) -20.0 V -

额定电流 -5.50 A -

通道数 1 -

针脚数 4 -

漏源极电阻 0.04 Ω -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 3 W -

输入电容 1.19 nF -

栅电荷 13.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 12.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6A

上升时间 15 ns -

输入电容(Ciss) 1187pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 1.1 W -

下降时间 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta) -

阈值电压 - -

长度 6.5 mm -

宽度 3.56 mm -

高度 1.6 mm -

封装 TO-261-4 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99