对比图
型号 IRF7807VTR IRF7807VTRPBF
描述 SOIC N-CH 30V 8.3A晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.3A 8.3A
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.017 Ω
阈值电压 - 3 V
上升时间 - 1.2 ns
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 2.2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free