1N3999A和JAN1N2970RB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3999A JAN1N2970RB JANTX1N2970RB

描述 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

耗散功率 10 W 10 W 10 W

测试电流 370 mA 370 mA 370 mA

稳压值 6.8 V 6.8 V 6.8 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.5V @2A 1.5V @2A

额定功率(Max) - 10 W 10 W

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

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