2SC5508-T2和BFG94,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC5508-T2 BFG94,115 NE68519

描述 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4Pin THIN SUPER MINI-MOLDTrans RF BJT NPN 12V 0.06A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/RTrans RF BJT NPN 6V 0.03A 3Pin Ultra Super Mini-Mold

数据手册 ---

制造商 NEC (日本电气) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 3

封装 - TO-261-4 -

频率 - 4000 MHz 12000 MHz

耗散功率 - 0.7 W 0.125 W

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 45 @30mA, 5V -

额定功率(Max) - 700 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 700 mW -

封装 - TO-261-4 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 NLR - -

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