TPS73615DRBT和TPS73615DRBTG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS73615DRBT TPS73615DRBTG4 TPS73615DRBR

描述 无电容, NMOS , 400毫安低压差稳压器,反向电流保护 Cap-Free, NMOS, 400mA Low-Dropout Regulator with Reverse Current Protection无电容, NMOS , 400毫安低压差稳压器,反向电流保护 Cap-Free, NMOS, 400mA Low-Dropout Regulator with Reverse Current Protection无电容, NMOS , 400毫安低压差稳压器,反向电流保护 Cap-Free, NMOS, 400mA Low-Dropout Regulator with Reverse Current Protection

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON EP-8 VSON-8 VDFN-8

输出接口数 1 1 1

输出电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V

输出电流 400 mA 400 mA 400 mA

耗散功率 2500 W 2.5 W 2500 W

静态电流 0.3 mA 400 µA 400 µA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 0.075V @400mA 75 mV 0.075V @400mA

调节输出数 1 1 1

输入电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电压(Min) 1.7 V 1.7 V 1.7 V

输出电流(Max) 0.4 A 0.4 A 0.4 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.5 % ±0.5 % 1 %

输入电压 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V

输入电压(DC) 5.50V (max) - -

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 3 mm 3 mm

高度 - 0.88 mm 0.88 mm

封装 VSON EP-8 VSON-8 VDFN-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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