对比图
型号 STW15NK50Z STW20NK50Z IRFP460
描述 STMICROELECTRONICS STW15NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.3 ohm, 30 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 14.0 A 17.0 A 20.0 A
额定功率 - 190 W -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.3 Ω 0.23 Ω 270 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 190 W 260 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
输入电容 - 2600 pF -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 17.0 A 20.0 A
上升时间 23 ns 20 ns 81 ns
输入电容(Ciss) 2260pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 190 W 260 W
下降时间 15 ns 15 ns 65 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 190W (Tc) 260W (Tc)
长度 15.75 mm 15.75 mm 16.26 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.3 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -