IRFB5620PBF和STP30NF20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB5620PBF STP30NF20 IRFZ14PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 200 V 60.0 V

额定电流 - 30.0 A 10.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 60 mΩ 75.0 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 14 W 125 W 43 W

阈值电压 5 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 60 V

漏源击穿电压 - 200 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 30.0 A 10.0 A

上升时间 - 15.7 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1710pF @50V(Vds) 1597pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 144 W 125 W 43 W

下降时间 - 8.8 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 125W (Tc) 43 W

产品系列 IRFB5620 - -

通道数 - 1 -

输入电容 - 1.60 nF -

栅电荷 - 38.0 nC -

长度 - 10.4 mm 10.41 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 15.75 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

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