对比图
型号 1N747A JANTX1N747A-1 BZT52C24
描述 NTE ELECTRONICS 1N747A ZENER DIODE 3.6V 0.5W(1/2W) 5% DO-35 CASESILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 24V 6% 0.5W(1/2W) 2Pin SOD-123
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)
分类 分立器件齐纳二极管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 2 -
封装 - DO-35-2 -
容差 - ±5 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
耗散功率 - 500 mW -
测试电流 - 20 mA -
稳压值 - 3.6 V -
额定功率(Max) - 500 mW -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - 65 ℃ -
长度 - 5.08 mm -
封装 - DO-35-2 -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - -