PD57030S和PD57030S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57030S PD57030S-E PD57030-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs30W 945MHZ 28 PowerSO-10 射频(鸥翼)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

额定电压(DC) - 65.0 V 65.0 V

额定电流 - 4.00 A 4 A

耗散功率 52.8 W 52800 mW 52.8 W

输入电容 - - 57 pF

漏源极电压(Vds) - 65 V 65.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A

输出功率 30 W 30 W 30 W

增益 14 dB 14 dB 14 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) - 57pF @28V(Vds) 57pF @28V(Vds)

工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 52800 mW 52800 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

极性 N-Channel - -

漏源击穿电压 65.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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