BLW33和MS1512

对比图

型号 BLW33 MS1512 BLX96

描述 RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNTrans RF BJT NPN 25V 1.2A 4Pin Case M-122TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

引脚数 - 4 -

封装 - M-122 -

耗散功率 - 19400 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V -

增益 - 10 dB -

额定功率(Max) - 19.4 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 19400 mW -

高度 - 16.26 mm -

封装 - M-122 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -