LM2904VQDRQ1和LM358DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM2904VQDRQ1 LM358DR2G TSM103WAIDT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM2904VQDRQ1  运算放大器, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器TSM103W, Operational Amplifier and Voltage ReferenceThe TSM103W includes one independent operational amplifier and another op-amp for which the non-inverting input is wired to a 2.5 V fixed Voltage Reference.±0.4% (A version) or ±0.7% Voltage Precision Sink Current Capability: 1 mA to 100 mA Power supply operation from 3 V to 32 V ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 30mA @15V 40 mA 40 mA

供电电流 1 mA 1.5 mA 0.7 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 65dB ~ 80dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K - -

带宽 700 kHz 1 MHz 0.9 MHz

转换速率 300 mV/μs 600 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 1 MHz 0.9 MHz

输入补偿电压 3 mV 2 mV 500 µV

输入偏置电流 20 nA 45 nA 20 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.7 MHz 1 MHz 0.9 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 70 dB

电源电压 3V ~ 32V 3V ~ 32V 3V ~ 32V

电源电压(Max) 32 V 32 V 32 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

工作电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

无卤素状态 - Halogen Free -

输入电压 - 0V ~ 28.3V -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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