SPB80N08S2L-07和STB75NF75T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB80N08S2L-07 STB75NF75T4 STB76NF75

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET80A,75V,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)

输入电容 6.82 nF - -

栅电荷 233 nC - -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A

输入电容(Ciss) 6820pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

上升时间 - 100 ns 100 ns

下降时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

阈值电压 - 3 V -

额定功率(Max) - 300 W -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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