对比图
型号 VN0104N3-G VN0104N3-G-P013 2N6660
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 40 V, 2.5 ohm, 10 V, 2.4 VTrans MOSFET N-CH 40V 0.35A 3Pin TO-92 T/R晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 2.5 Ω - 3 Ω
耗散功率 1 W 1W (Tc) 6.25 W
阈值电压 2.4 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
输入电容(Ciss) 65pF @25V(Vds) 65pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 6.25W (Tc)
额定功率 1 W - -
上升时间 5 ns 5 ns -
下降时间 5 ns 5 ns -
额定功率(Max) - 1 W -
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3
宽度 - 4.19 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bag Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -